1. BCW33
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厂商型号

BCW33 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SOT-23 NPN GP AMP

内部编号

3-BCW33

#1

数量:45000
1+¥0.1541
25+¥0.1541
100+¥0.1541
500+¥0.1541
1000+¥0.077
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:45000
1+¥0.1541
25+¥0.1541
100+¥0.1541
500+¥0.1541
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BCW33产品详细规格

规格书 BCW33 datasheet 规格书
文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 32V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 420 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 350mW
频率转换 200MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.5
最小直流电流增益 420@2mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 350
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 200(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 32
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 32
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 200MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 500µA, 10mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 32V
供应商设备封装 SOT-23
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 420 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 420
直流电流增益hFE最大值 800
单位重量 0.002116 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 32 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 0.25 V
集电极最大直流电流 0.5 A
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.5 A
增益带宽产品fT 200 MHz (Min)
最大功率耗散 350 mW
集电极 - 基极电压VCBO 32 V
最低工作温度 - 55 C
集电极电流(DC ) 0.5 A
集电极 - 基极电压 32 V
集电极 - 发射极电压 32 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率 200 MHz
功率耗散 0.35 W
安装 Surface Mount
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
元件数 1
直流电流增益 420
工作温度分类 Military
弧度硬化 No

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